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1N5820-E3SLASH54	文件：346.36 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Very small conduction losses • Extremely fast switching • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in 文件：346.36 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
1N5820-E3SLASH54	文件：74.75 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Very small conduction losses • Extremely fast switching • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in 文件：74.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
1N5822	文件：0 bytes Page：0 Pages	MIC 标准	MIC 昌福电子上传：深圳市乐创天科技有限公司	MIC
1N5822(SS34)	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOSHIBA D0-214AC(SMA)	TOSHIBA 东芝上传：深圳市佳兆微电子有限公司	TOSHIBA
1N5822RLG	文件：0 bytes Page：0 Pages	onsemi/安森美原装封装	onsemi/安森美上传：深圳市品优时代科技有限公司	onsemi/安森美

更多1N5820-E3SLASH54供应商更新时间2025-10-10 17:00:00