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1N5820-E3SLASH54	文件：346.36 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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1N5820-E3SLASH54

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Schottky Barrier Rectifier

FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Verysmallconductionlosses •Extremelyfastswitching •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin

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威世科技威世科技半导体

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深圳市振宏微科技有限公司	1N5820EMIF01-10018W5SI1305DL-T1-E3	DO-214SMA	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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上海市鑫鸿达电子	1N5820G	ON Semiconductor	2022+		65	全新原装货期两周	询价

更多1N5820-E3SLASH54供应商更新时间2025-5-24 17:00:00

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