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1N5819WS	文件：99.1 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes Features ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ●Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5819WS	文件：523.419 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819WS	文件：603.17 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingConstructionforTransientProtection •NegligibleReverseRecoveryTime •LowReverseCapacitance •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	YIXINShenzhen Yixinwei Technology Co., Ltd. 壹芯微深圳市壹芯微科技有限公司	YIXIN
1N5819WS	文件：557.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	FS First Silicon Co., Ltd	FS
1N5819WS	文件：470.3 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ♦LowForwardVoltageDrop ♦GuardRingConstructionforTransientProtection ♦NegligibleReverseRecoveryTime ♦LowCapacitance ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives MECHANICALDATA ♦Case:SOD-323 ♦Terminals:SolderableperMIL-STD-750,Method2026 ♦Appro	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5819WS	文件：1.232 Mbytes Page：3 Pages	Schottkybarrierdiode Features Generalrectification LowVF;LowIR Highreliability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
1N5819WS	文件：530.81 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Guardingforovervoltageprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5819WT	文件：1.91081 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features »MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure »HighCurrentCapability,HighEfficiency «HighJunctionTemperatureCapability «LowLeakageCurrent «RoHsProduct	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
1N5819WV	文件：287.13 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
H1N5819	文件：38.48 Kbytes Page：3 Pages	1.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

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