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1N5819S	文件：624.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurrent	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5819S	文件：1.04528 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A Features ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5819S	文件：568.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5819SF	文件：332.7 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERReverseVoltage20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere ReverseVoltage20to40Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrent	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5819SF	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5819-SMD	文件：92.83 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES FEATURES Forgeneralpurposeapplications Lowturn-onvoltage Fastswitchingtime Idealforsurfacemountedapplications	SYC SYC Electronica	SYC
1N5819-T	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819-T	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5819-TB	文件：36.9 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5819-TB	文件：47.27 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

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产品属性

产品编号：
1N5819RLG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
轴向
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL

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