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1N5819S	文件：989.93 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N5819S	文件：52.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5819S	文件：989.57 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurren	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
1N5819S	文件：242.91 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N5819S	文件：177.14 Kbytes Page：1 Pages	1.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N5819S	文件：269.2 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
1N5819S	文件：583.81 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5819S	文件：624.62 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◆Guardringforovervoltageprotection ◆Lowpowerloss,highefficiency ◆Highcurrent	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5819S	文件：1.04528 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:20---40VCURRENT:1.0A Features ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionappli	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5819S	文件：568.42 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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详细参数

型号：
1N5819M
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMD MELF
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯诚实创科技有限公司	1N5819M	VISHAY / General Semiconductor	2022	DO-213AB / LL41	1600	全新原装,房间现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5819M	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	DO-213ABLL41	21200	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	1N5819M	GS	24+	1A圆型	25000	原装现货假一罚十	询价
深圳市振宏微科技有限公司	1N5819M	LL41	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	1N5819M	VISHAY/威世	23+	LL41	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1N5819M	GS	23+	1A圆型	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市英瑞尔电子科技有限公司	1N5819M	ITT	24+		598000	原装现货假一赔十	询价
深圳市恒佳微电子有限公司	1N5819M	VISHAY/威世	2020+	LL41	5000	原装现货,优势渠道订货假一赔十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	1N5819M	GS	01+	1A圆型	10000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多1N5819M供应商更新时间2025-7-25 14:31:00

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