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1N5819W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819W	文件：1.96288 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5819W	文件：135.01 Kbytes Page：4 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Features: •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N5819W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5819W	文件：233.87 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●HighSurgeCapability	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5819W	文件：123.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpola	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
1N5819W	文件：75.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
1N5819W	文件：221.77 Kbytes Page：1 Pages	surfacemountschottkybarrierdiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5819WB	文件：47.53 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODES SCHOTTKYBARRIERDIODES PRV:20-40Volts IO:1.0Ampere MECHANICALDATA: Case:SOD-123 Weight:0.01gram(approximately) 1N5817WBMarkingCode:A0 1N5818WBMarkingCode:ME *1N5819WBMarkingCode:SR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5819WB	文件：227.07 Kbytes Page：3 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode 1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode Plasticsurfacemountedpackage;2leads	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC

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