1N5817B-G资料datasheet下载供应代理典琦-114ic电子网

首页 >1N5817B-G>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
1N5817B-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5817-E	文件：182.91 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage20to40VForwardCurrent1.0A Feature&Dimensions PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications Guardingforovervoltageprotection *Hightempera	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5817FL	文件：545.53 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5817G	文件：116.38 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●HighReliability ●HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5817G	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817G	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5817GI	文件：366 Kbytes Page：18 Pages	FIXEDNEGATIVE5-V200-mAINVERTINGDC/DCCONVERTER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
1N5817H	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5817HS	文件：560.56 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI

详细参数

型号：
1N5817B-G
制造商：
COMCHIP
制造商全称：
Comchip Technology
功能描述：
Schottky Barrier Rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	1N5817BK	CENTRAL	1809+	DO-41	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	1N5817BKPBFREE		24+	N/A	47000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N5817BKPBFREE	Central Semiconductor Corp	25+	DO-41	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳庞田科技有限公司	1N5817-B整流器件	DIODES/美台	2023+	DO41	48000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	1N5817-D	ONSEMI/安森美	25+	SS12	65248	百分百原装现货实单必成	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5817DO-213AB1W	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	SMD	12200	新进库存/原装	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	1N5817E3	MICROCHIP(美国微芯)	24+	DO41	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	1N5817E3	MICROCHIP	23+		7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	1N5817E3	MICROCHIP	23+		7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市联世界科技有限公司	1N5817-E3/54	VISHAY	24+/25+	DO-204AL(DO-41)	22000	原装正品现货库存价优	询价

更多1N5817B-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号