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1N5804US分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

1N5804US

参数属性

1N5804US 封装/外壳为SQ-MELF;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 1.1A

功能描述

Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US)

封装外壳

SQ-MELF

文件大小

110.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

SEMTECH

中文名称

先之科

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数据手册

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更新时间

2025-11-11 10:26:00

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1N5804US规格书详情

特性 Features

‹ Very low reverse recovery time

‹ Hermetically sealed non-cavity construction

‹ Soft, non-snap, off recovery characteristics

‹ Very low forward voltage drop

VR 50 -150 V

IF 1N5802US to 1N5806US = 2.5A

trr 1N5802US to 1N5806US = 25nS

IR 1N5802US to 1N5806US = 1µA

产品属性

  • 产品编号:

    1N5804US

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1.1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 1.1A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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