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1N5711W中文资料SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

1N5711W

参数属性

1N5711W 封装/外壳为SOD-123;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123

功能描述

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123

封装外壳

SOD-123

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:31:00

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1N5711W规格书详情

简介

1N5711W属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的1N5711W二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N5711W

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Configuration

    :Single

  • Power Rating (µW)

    :333 mW

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :70 V

  • Forward Continuous Current IFM (mA)

    :15 mA

  • Forward Voltage Drop VF (V)

    :0.41

  • @ IF (A)

    :1 mA

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.2 µA

  • @ VR (V)

    :50 V

  • Capacitance CTOT Typ (pF)

    :2 pF

  • Packages

    :SOD123

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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