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1N5711中文资料70 V、15 mA RF和超高速开关信号肖特基二极管数据手册ST规格书

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厂商型号

1N5711

参数属性

1N5711 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

功能描述

70 V、15 mA RF和超高速开关信号肖特基二极管
RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:31:00

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1N5711规格书详情

描述 Description

Metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn-on voltage and ultrafast switching.

Primarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range. Matched batches are available on request

简介

1N5711属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的1N5711二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N5711

  • 生产厂家

    :ST

  • Number of Diodes_spec

    :1

  • Marketing Status

    :Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)

    :70

  • Average Rectified Current_max(A)

    :0.015

  • VF_max(V)

    :1

  • Reverse Current_max(mA)

    :0.02

  • Junction Capacitance_max(pF)

    :2

  • Reverse Recovery Time_max(ns)

    :0.1

  • Junction Temperature_max(°C)

    :200

  • General Description

    :70 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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