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1N5711分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

1N5711
厂商型号

1N5711

参数属性

1N5711 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

功能描述

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE
RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

文件大小

52.1 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-2 16:51:00

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1N5711规格书详情

1N5711属于分立半导体产品的二极管-射频。由意法半导体集团制造生产的1N5711二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

DESCRIPTION

Metal to silicon junction diode featuring high breakdown, low turn-on voltage and ultrafast switching. Primarly intended for high level UHF/VHF detection and pulse application with broad dynamic range.

Matched batches are available on request.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1N5711

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 单

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    70V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    2pF @ 0V,1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 描述:

    RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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