1N5655A电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

厂商型号 |
1N5655A |
参数属性 | 1N5655A 封装/外壳为DO-13;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;1N5655A应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13 |
功能描述 | Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors |
封装外壳 | DO-13 |
文件大小 |
201.32 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Littelfuse |
中文名称 | 力特 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-8 11:10:00 |
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1N5655A规格书详情
1N56 Series
FEATURES
• Hermetically sealed
• Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts
• Glass passivated junction
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• 100 surge tested
• -55°C to +150°C
• Uni-polar
产品属性
- 产品编号:
1N5655A
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
70.1V
- 电压 - 击穿(最小值):
77.9V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
113V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
13.3A
- 功率 - 峰值脉冲:
1500W(1.5kW)
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 工作温度:
-65°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-13
- 供应商器件封装:
DO-13
- 描述:
TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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