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1N5655A	文件：115.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER DESCRIPTION ThispopularTransientVoltageSuppressor(TVS)seriesfor1N5629thru1N5665AareJEDECregisteredselectionsforunidirectionaldevices.AllhavethesamehighPeakPulsePowerratingof1500Wwithextremelyfastresponsetimes.Theyarealsoavailableinmilitaryqualifiedselecti	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5655A	文件：204.24 Kbytes Page：4 Pages	1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DESCRIPTION ThispopularTransientVoltageSuppressor(TVS)seriesfor1N5629thru1N5665AareJEDECregisteredselectionsforunidirectionaldevices.AllhavethesamehighPeakPulsePowerratingof1500Wwithextremelyfastresponsetimes.Theyarealsoavailableinmilitaryqualifiedselecti	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5655A	文件：201.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors 1N56Series FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Uni-polar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
1N5655A	文件：82.23 Kbytes Page：1 Pages	UNIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSOR MAXIMUMRATING *PeakPulsePower(Ppk):1500Watts(10x1000μs)@25°C	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5655A	文件：256.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Avalanche Diodes Diode	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5655A	文件：187.73 Kbytes Page：1 Pages	DO-13 PACKAGE-GLASS TO METAL HERMETICALLY SEALED	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
1N5655A	文件：506.81 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5655A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5655AE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N5655AE3/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
1N5655A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
70.1V
电压 - 击穿（最小值）：
77.9V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
113V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
13.3A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13
描述：
TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5655A供应商更新时间2025-5-1 9:01:00

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