1N5655A电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5655A |
| 参数属性 | 1N5655A 封装/外壳为DO-13；包装为卷带（TR）；类别为电路保护的TVS-二极管；1N5655A应用范围：通用；产品描述：TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13 |
| 功能描述 | UNIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSOR |
| 封装外壳 | DO-13 |
| 文件大小 |
82.23 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-11 14:06:00 |
| 人工找货 | 1N5655A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5655A规格书详情
MAXIMUM RATING
* Peak Pulse Power (Ppk): 1500 Watts (10 x 1000μs)@25°C
产品属性
- 产品编号：
1N5655A
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装：
卷带（TR）
- 类型：
齐纳
- 电压 - 反向断态（典型值）：
70.1V
- 电压 - 击穿（最小值）：
77.9V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
113V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
13.3A
- 功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
- 电源线路保护：
无
- 应用：
通用
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-13
- 供应商器件封装：
DO-13
- 描述：
TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO13
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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