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1N5629A	文件：115.25 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER DESCRIPTION This popular Transient Voltage Suppressor (TVS) series for 1N5629 thru 1N5665A are JEDEC registered selections for unidirectional devices. All have the same high Peak Pulse Power rating of 1500 W with extremely fast response times. They are also available in military qualified selecti 文件：115.25 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5629A	文件：204.24 Kbytes Page：4 Pages	1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DESCRIPTION This popular Transient Voltage Suppressor (TVS) series for 1N5629 thru 1N5665A are JEDEC registered selections for unidirectional devices. All have the same high Peak Pulse Power rating of 1500 W with extremely fast response times. They are also available in military qualified selecti 文件：204.24 Kbytes 页数：4 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N5629A	文件：201.32 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors 1N56 Series FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance • 100 surge tested • -55°C to +150°C • Uni-polar 文件：201.32 Kbytes 页数：4 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
1N5629A	文件：324.52 Kbytes Page：2 Pages	20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 MAXIMUM RATING * Peak Pulse Power (Ppk): 1500 Watts (10 x 1000μs)@25°C 文件：324.52 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N5629A	文件：256.29 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Avalanche Diodes Diode 文件：256.29 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N5629A	文件：506.81 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER 文件：506.81 Kbytes 页数：4 Pages	DIGITRON	DIGITRON
1N5629A	文件：187.73 Kbytes Page：1 Pages	DO-13 PACKAGE-GLASS TO METAL HERMETICALLY SEALED 文件：187.73 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
1N5629A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13	Microchip 微芯科技	Microchip
1N5629A/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13	Microchip 微芯科技	Microchip
1N5629AE3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
1N5629A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5.8V
电压 - 击穿（最小值）：
6.45V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
10.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
143A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13
描述：
TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13

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更多1N5629A供应商更新时间2025-12-7 14:14:00

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