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1N5622C分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N5622C
厂商型号

1N5622C

参数属性

1N5622C 封装/外壳为轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

功能描述

200V-1000V Axial Leaded Fast Avalanche Rectifier Diode
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

文件大小

178.75 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Semtech Corporation
企业简称

SEMTECH

中文名称

Semtech Corporation官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-14 18:04:00

1N5622C规格书详情

Features

VR = 200V to 1000V

IR = 0.5µA

Trr = 3.0μs

VF = 1.2V at IF = 1A

Quick Reference Data

◆ Low reverse leakage current

◆ Hermetically sealed

◆ Good thermal shock resistance

◆ Fast Trr

◆ Low forward voltage drop

1N5622C属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。Semtech Corporation制造生产的1N5622C二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

  • 产品编号:

    1N5622C.TR

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    雪崩

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    23pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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