1N5622分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
1N5622 |
参数属性 | 1N5622 封装/外壳为轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL |
功能描述 | GLASS PASSIVATED MEDIUM-SWITCHING JUNCTION RECTIFIER |
封装外壳 | 轴向 |
文件大小 |
51.86 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | GE Industrial Company |
企业简称 |
GE |
中文名称 | GE Industrial Company官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
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1N5622规格书详情
FEATURES
♦ High temperature metallurgically bonded construction
♦ 1.0 Ampere operation at TA= 55°C with no thermal runaway
♦ Typical IR less than 0.1µA
♦ Hermetically sealed package
♦ Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500
♦ High temperature soldering guaranteed: 350°C/10 seconds, 0.375” (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
产品属性
- 产品编号:
1N5622
- 制造商:
Semtech Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
2A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
23pF @ 5V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
轴向
- 供应商器件封装:
轴向
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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