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1N5621分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N5621
厂商型号

1N5621

参数属性

1N5621 封装/外壳为轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

功能描述

GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER

封装外壳

轴向

文件大小

52.15 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 GE Industrial Company
企业简称

GE

中文名称

GE Industrial Company官网

原厂标识
GE
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:01:00

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1N5621规格书详情

FEATURES

♦ High temperature metallurgically bonded construction

♦ Hermetically sealed case

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ 1.0 Ampere operation at TA=55°C with no thermal runaway

♦ Typical IR less than 0.1µA

♦ Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500

♦ Fast switching for high efficiency

♦ High temperature soldering guaranteed: 350°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    1N5621

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    18pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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