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1N5529A	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES * Low zener noise specified * Low zener impedance * Low leakage current * Hermetically sealed glass package 文件：243.11 Kbytes 页数：2 Pages	JGD 固锝电子	JGD
1N5529A	文件：166.09 Kbytes Page：1 Pages	LOW VOLTAGE AVALANCHES SILICON OXIDE PASSIVATED ZENER REGULATOR DIODES LOW VOLTAGE AVALANCHES SILICON OXIDE PASSIVATED ZENER REGULATOR DIODES LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DIODES 400 MILLIWATTS 3.3 THRU 33 VOLTS 文件：166.09 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N5529A-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5529AUR	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5529AUR-1	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5529B	文件：243.11 Kbytes Page：2 Pages	0.4W LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES FEATURES * Low zener noise specified * Low zener impedance * Low leakage current * Hermetically sealed glass package 文件：243.11 Kbytes 页数：2 Pages	JGD 固锝电子	JGD
1N5529B	文件：113.21 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW • 1N5518BUR-1 THRU 1N5546BUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • ZENER DIODE, 500mW • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • METALLURGICALLY BONDED 文件：113.21 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5529B	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5529B	文件：295.88 Kbytes Page：3 Pages	0.5W Zener Diode Features  Sharp Reverse Characteristics  Low Reverse Current Levels  High Reliability Gold Back Metal  High Reliability Tested Grades. 文件：295.88 Kbytes 页数：3 Pages	SS	SS
1N5529B-1	文件：99.16 Kbytes Page：2 Pages	LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • 1N5518-1 THRU 1N5546B-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/437 • LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS • LOW NOISE CHARACTERISTICS • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION • METALLURGICALLYBONDED 文件：99.16 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE

产品属性

产品编号：
1N5529
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±20%
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
描述：
VOLTAGE REGULATOR

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