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1N5417C中文资料200V, 4.5A, Fast Recovery Rectifier Diode数据手册Semtech规格书

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厂商型号

1N5417C

参数属性

1N5417C 封装/外壳为轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

功能描述

200V, 4.5A, Fast Recovery Rectifier Diode

封装外壳

轴向

制造商

Semtech SEMTECH ELECTRONICS LTD.

中文名称

先之科 先之科半导体科技(东莞)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-3 23:00:00

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1N5417C规格书详情

描述 Description

• Low reverse leakage current
• Hermetically sealed
• Good thermal shock resistance
• Fast Trr
• Low forward voltage drop

特性 Features

VR = 200V
IR = 1.0μA
trr = 75ns
VF = 1.5V at IF = 9A

技术参数

  • 产品编号:

    1N5417C.TR

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    4.5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    250pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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