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1N5417数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N5417

参数属性

1N5417 封装/外壳为轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

功能描述

Half Wave Rectifier Diode - 200V Axial Leaded Hermetically Sealed (Fast Recovery)
DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

封装外壳

轴向

制造商

Semtech Semtech Corporation

中文名称

升特

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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1N5417规格书详情

描述 Description

VR = 50 - 600VIF = 4.5Atrr = 150 - 400nSIR = 1.0μA

特性 Features

• Very low reverse recovery time
• Hermetically sealed non-cavity construction.
• Low switching losses
• Low forward voltage drop
• Soft, non-snap off, recovery characteristics
• Capable of withstanding temperature cycle conditions from -180°C to +130°C for space critical programs

应用 Application

·Military
·Industrial
·Aerospace

简介

1N5417属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5417二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5417

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    4.5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    250pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

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