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1N5407G中文资料世纪微电子数据手册PDF规格书

1N5407G
厂商型号

1N5407G

参数属性

1N5407G 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

功能描述

GLASS PASSIVATED RECTIFIERS

文件大小

84.38 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 23:00:00

1N5407G规格书详情

FEATURES

The plastic package carries underwrites laboratory

flammability classification 94V-O

High current capability

Low reverse leakage

High temperature soldering guaranteed:

350℃/10 seconds, 0.375(9.5mm) lead length, 5lbs, (2.3kg) tension

Glass passivated junction

Low forward voltage drop

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO--27,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.041 ounces,1.15 grams

Mounting position: Any

产品属性

  • 产品编号:

    1N5407G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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