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1N5406	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	3.0ARECTIFIER Features •DiffusedJunction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto200APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5406	文件：412.14 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-3.0Amperes FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability MECHANICALDATA Case:Moldedplastic Epoxy:UL94V-0rateflameretardant Mountingposition:Any Weight:1.18grams *Lead:MIL-STD-202E,	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N5406	文件：45.39 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦3.0AmpereoperationatTL=105°Cwithnot	GE GE Industrial Company	GE
1N5406	文件：32.21 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5406	文件：66.51 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT3.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N5406	文件：242.91 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5406	文件：66.63 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPS.SiliconRectifiers FEATURES -Highefficiency,LowVF -Highcurrentcapability -Highreliability -Highsurgecurrentcapability -Lowpowerloss -ComplianttoRoHSDirective2011/65/EUandinaccordancetoWEEE2002/96/EC -Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21definition	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
1N5406	文件：213.1 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT3.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features ·TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ·Highsurgecurrentcapability ·3.0AoperationatTL=70℃withnothermalrunaway ·TypicalIRlessthan0.1μA ·Hightemperaturesolde	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N5406	文件：48.39 Kbytes Page：4 Pages	3.0ASTANDARDDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5406	文件：57 Kbytes Page：6 Pages	Axial?묹eadStandardRecoveryRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5406-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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