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1N5399S-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41	DIODES 美台半导体	DIODES
1N5399-TB	文件：54.23 Kbytes Page：4 Pages	1.5A STANDARD DIODE 文件：54.23 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
1N5399-TB	文件：45.53 Kbytes Page：3 Pages	1.5A SILICON RECTIFIER Features ● Diffused Junction ● Low Forward Voltage Drop ● High Current Capability ● High Reliability ● High Surge Current Capability 文件：45.53 Kbytes 页数：3 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
T1N5399	文件：261.6 Kbytes Page：2 Pages	General Rectifier Diodes 文件：261.6 Kbytes 页数：2 Pages	SIPOWER	SIPOWER

产品属性

产品编号：
1N5399S-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1.5A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
20pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41

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更多1N5399S-T供应商更新时间2025-12-20 10:20:00

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