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1N5381	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5381	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5381A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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1N5381B	文件：2.71208 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
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