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1N5368B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5368B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5368B	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
1N5368B	文件：51.04 Kbytes Page：2 Pages	Zenersilicondiodes MaximumPower Dissipation:5W NominalZ-voltage:10to200V Features •Max.soldertemperature:260°C •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •StandardZenervoltagetoleranceisgradedtotheinternationalE24(5)standard.OthervoltagetoleranceandhigherZenervoltageonreque	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5368B	文件：82.61 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmeticTM40ZenerVoltageRegulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5368B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5368B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
1N5368B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W47VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N5368B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5368B	文件：60.85 Kbytes Page：3 Pages	5WGlassPassivatedZenerDiode	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
1N5368C
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
5.0W, VZ = 47V, ? 2% - Tape and Reel
功能描述：
DIODE ZENER 5.0W 47V 2% T-18

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