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1N5357	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5357A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5357A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5357A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5357A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5357B	文件：168.83 Kbytes Page：1 Pages	DIODE 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5357B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5357B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5357B	文件：85.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology)	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N5357B	文件：208.94 Kbytes Page：5 Pages	5WSILICONZENERDIODES description 5WsiliconZenerdiodes. ■VOLTAGERANGE:3.3VTO200V ■HERMETICALLYSEALEDPLASTICCASE ■HIGHSURGECAPABILITY(upto180W@8.3ms)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
1N5357B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5357B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5357B	文件：361.494 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5357B	文件：102.83 Kbytes Page：2 Pages	5WattSurmetic40SiliconZenerDiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5357B	文件：1.05186 Mbytes Page：6 Pages	5WZenerDoides Features Zenervoltage:3.3V~200V Highreliability Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength MechanicalData Case:MoldedplasticDO-15 Terminals:Solderplated,solderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Colorbanddenot	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5357B	文件：135.67 Kbytes Page：3 Pages	5WATTSILICONZENERDIODE FEATURES ●PLASTICPACKAGEHASUNDERWRITERSLABORATORY FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 ●LOWZENERIMPEDANCE ●EXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5357B	文件：99.79 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5357B	文件：164.23 Kbytes Page：3 Pages	5.0WATTSZENERDIODEEXCELLENTCLAMPINGCAPABILITY Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N5357B	文件：2.31638 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●ZenerVoltageRange3.3Vto200V ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel ●SurgeRatingofupto180W@8.3ms ●5WattSurmetic™40	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5357B	文件：135.78 Kbytes Page：7 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
1N5357ATR
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
Silicon 5 Watt Zener Diodes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5357ATR供应商更新时间2024-5-14 9:35:00

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