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1N5358	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司
1N5358A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC
1N5358A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC
1N5358A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC
1N5358A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N5358B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
1N5358B	文件：85.97 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-ZenerDiodes(non-planartechnology)	DiotecDIOTEC 德欧泰克
1N5358B	文件：114.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICON5WATTZENERDIODES DESCRIPTION The1N5333-5388BJEDECregisteredseriesofaxial-leaded5.0wattZenersprovidesvoltageregulationinaselectionfrom3.3to200voltswithdifferenttolerancesasidentifiedbyspecificsuffixletteronthepartnumber.TheseplasticencapsulatedZenershavemoistureclassificatio	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
1N5358B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC
1N5358B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.
1N5358B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC
1N5358B	文件：168.83 Kbytes Page：1 Pages	DIODE 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
1N5358B	文件：82.61 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmeticTM40ZenerVoltageRegulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N5358B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W22VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行
1N5358B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
1N5358B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC
1N5358B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron 赛米控
1N5358B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
1N5358B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON
1N5358B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司

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详细参数

型号：
1N5358CTR
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
Silicon 5 Watt Zener Diodes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5358CTR供应商更新时间2024-4-27 10:18:00

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