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1N5356B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5356B	文件：312.03 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODES Descriptions StandardcaseisDO-15,D2Acaseisavailableuponrequest.Forexample:1N5335B(D2A)meansthecaseinD2A. Features •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5356B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5356B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5356B	文件：453.15 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5356B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5356B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5356B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
1N5356B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5356B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
1N5356B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
描述：
DIODE ZENER 19V 5W DO15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5356B-T供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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