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1N5342B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W6.8VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
1N5342B	文件：82.61 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmeticTM40ZenerVoltageRegulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5342B	文件：71.54 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRefulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5342B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5342B	文件：312.03 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODES Descriptions StandardcaseisDO-15,D2Acaseisavailableuponrequest.Forexample:1N5335B(D2A)meansthecaseinD2A. Features •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N5342B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5342B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5342B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5342B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5342B	文件：100.88 Kbytes Page：3 Pages	5WattZENERDIODES Features ■WIDEVOLTAGERANGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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