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1N4935GL-T	文件：88.29 Kbytes Page：3 Pages	1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N4935GL-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41	PAM Diodes Incorporated	PAM
1N4935GP	文件：81.8 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglasspassivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4935GP	文件：1.90369 Mbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Foruseinhighfrequencyrectifiercircuits ♦Fastswitchingforhigh	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N4935GP	文件：535.53 Kbytes Page：4 Pages	1AmpGlassPassivatedFastRecoveryRectifier50-600Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N4935GP	文件：76.52 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S-19500 •Solderdip275°Cmax.10s,perJE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4935GP	文件：172.11 Kbytes Page：2 Pages	SINTEREDGLASSJUNCTIONFASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO600VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO600VCURRENT:1.0A FEATURE •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •Sinteredglasscavityfreejunction •CapabilityofmeetingenvironmentalstandardofMIL-S-19500 •Hightemperaturesolderingguaranteed •350°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbs	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1N4935GP	文件：144.15 Kbytes Page：3 Pages	1AmpGlassPassivatedFastRecoveryRectifier Features •GlassPassivatedJunction •LowLeakageCurrent •MetalurgicallyBondedConstruction •LowCost •FastSwitching	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4935GP	文件：60.25 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONFASTSWITCHINGRECTIFIER ReverseVoltage-50to600VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦Plasticpackagehas UnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S-19500 ♦Foruseinhigh	GE GE Industrial Company	GE
1N4935GP	文件：32.99 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpereGlassPassivatedFastRecoveryRectifiers Features •Lowforwardvoltagedrop. •Highsurgecurrentcapability. •Highreliability. •Highcurrentcapability.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

产品属性

产品编号：
1N4935GL-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N4935GL-T	Diodes Incorporated	25+	DO-41	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	1N4935GP	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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上海市鑫鸿达电子	1N4935GP	General Semiconductor / Vishay	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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更多1N4935GL-T供应商更新时间2025-5-7 14:21:00

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