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1N4933-T

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

文件:67.6 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

1N4933-T3

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features • Diffused Junction • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Reliability • High Surge Current Capability

文件:47.12 Kbytes 页数:3 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N4933-TB

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features • Diffused Junction • Low Forward Voltage Drop • High Current Capability • High Reliability • High Surge Current Capability

文件:47.12 Kbytes 页数:3 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N4933-T3

1.0A FAST RECOVERY DIODE

文件:54.74 Kbytes 页数:4 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N4933-TB

1.0A FAST RECOVERY DIODE

文件:54.74 Kbytes 页数:4 Pages

WTE

Won-Top Electronics

1N4933-T

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

DIODES

美台半导体

1N4933-TP

Package:DO-204AL,DO-41,轴向;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GPP FAST 1A DO-41

Micro Commercial Co

Micro Commercial Co

产品属性

  • 产品编号:

    1N4933-T

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多1N4933-T供应商 更新时间2026-1-30 17:31:00