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1N4741A-A	文件：451.11 Kbytes Page：4 Pages	1.0WZENERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4741AG	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	1.0WZENERDIODE PlanarDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–100VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4741AG	文件：31.84 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES VZ:3.3to100V PD:1.0Watt FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±5 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4741AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4741AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
1N4741AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4741AG	文件：58.08 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators FEATURES ●ZenerVoltageRange3.3to56Volts ●Through-HoleDeviceTypeMounting ●HermeticallySealedGlass ●CompressionBondedConstruction ●AllExternalSurfacesAreCorrosionResistant AndLeadsAreReadilySolderable ●SolderHotDipTin(Sn)LeadFinish ●CathodeIndicatedBy	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4741A-G	文件：399.35 Kbytes Page：5 Pages	SILICONZENERDIODE VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification •Pbfreeproductareavailable:99Sn	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4741A-G	文件：304.56 Kbytes Page：5 Pages	SILICONZENERDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4741A-G	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	Glasspassivatedchip. ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

详细参数

型号：
1N4741A P
功能描述：
DIODE ZENER 11V 1W DO-41
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
系列：
-
标准包装：
1
系列：
- 电压 -
齐纳（标称）(Vz)：
36V 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
100nA @ 27V
容差：
±5% 功率 -
最大：
200mW
阻抗（最大）(Zzt)：
70 欧姆
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商设备封装：
SOT-323
包装：
剪切带(CT)
工作温度：
-65°C ~ 150°C
产品目录页面：
1585(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海磐岳电子有限公司	1N4741AAP	VISHAY	2023+	DO-41	58000	进口原装,现货热卖	询价
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更多1N4741A P供应商更新时间2025-7-28 16:15:00

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