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1N4689

LOWLEVELZENERDIODESULTRA-LOWCURRENT:50關A-LOWLEAKAGE

LOWLEVELZENERDIODES ULTRA-LOWCURRENT:50µA-LOWLEAKAGE

KNOX

Knox Semiconductor, Inc

1N4689

ZENERDIODES

FEATURES ♦SiliconPlanarZenerDiodes ♦StandardZenervoltagetoleranceis±5.Othertolerancesareavailableuponrequest. ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength. ♦ThesediodesarealsoavailableinSOD-123casewiththetypedesignation

GE

GE Industrial Company

1N4689

50uA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES

•50µA,LOWOPERATINGCURRENT,ZENERDIODES •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION •METALLURGICALLYBONDED MAXIMUMRATINGS OperatingTemperature:-65°Cto+175°C StorageTemperature:-65°Cto+175°C PowerDissipation:500mW@+50°C DCPowerDerating:4mW/°Cabove+50°C ForwardV

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

1N4689

SiliconEpitaxialPlanarZ-Diodes

Features Zenervoltagespecifiedat50A MaximumdeltaVZgivenfrom10Ato100A Veryhighstability Lownoise Applications Voltagestabilization

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    1N4689T

  • 功能描述:

    稳压二极管

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 齐纳电压:

    12 V

  • 电压容差:

    5 %

  • 电压温度系数:

    0.075 %/K

  • 功率耗散:

    3 W

  • 最大反向漏泄电流:

    3 uA

  • 最大齐纳阻抗:

    7 Ohms

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DO-214AC

  • 封装:

    Reel

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更多1N4689T供应商 更新时间2025-7-16 10:05:00