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1N4385 BK TIN/LEAD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO-41	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N4385GP	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionPlasticRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliability application •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcomplia	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4385GP	文件：1.951 Mbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
1N4385GP	文件：156.38 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREGLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER MINIATUREGLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER Voltage-200to1000VoltsCurrent-1.0Ampere	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4385GP	文件：76.46 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedJunctionRectifier ReverseVoltage200to1000V ForwardCurrent1.0A Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratories FlammabilityClassification94V-0 •Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction •Cavity-freeglasspassivatedjunction •CapableofmeetingenvironmentalstandardsofMIL-S	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4385GP	文件：64.42 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONRECTIFIER ReverseVoltage-200to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Hightemperaturemetallurgicallybondedconstruction ♦Glasspassivatedcavity-freejunction ♦Capableofmeetingenvironmentalstand	GE GE Industrial Company	GE

产品属性

产品编号：
1N4385 BK TIN/LEAD
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO-41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4385 BK TIN/LEAD供应商更新时间2025-7-14 14:39:00

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