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1N4153

HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE

FEATURES: •Highswitchingspeed:max.2ns •Peakreversevoltage:max.75V •Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-35GlassCase Weight:approx.0.13g

EIC

EIC discrete Semiconductors

1N4153

SILICONSWITCHINGDIODES

DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N4151SeriestypesareHermeticallySealedSiliconDiodesDesignedforfastswitchingapplications.

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

1N4153

SmallSignalDevices

SWITCHINGDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

1N4153

SmallSignalDevices

SWITCHINGDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

1N4153

SilicinEpitaxialPlanarSwitchingDiode

SiliconEpitaxialPlanarSwitchingDiode

Surge

Surge Components

1N4153

SmallSignalDevices

SWITCHINGDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

1N4153

SWITCHINGRECTIFIER

SWITCHINGRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N4153

75VDetectionswitchtube

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半导体股份有限公司

PDF上传者:深圳市福田区吉富昌电子商行

1N4153

SmallSignalDiode

SmallSignalDiode DO-35 ColorBandDenotesCathode

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

1N4153

DiodeData

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

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更多1N4153-B供应商 更新时间2025-5-15 17:34:00