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1N4150数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N4150

参数属性

1N4150 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

功能描述

0.2A,50V,Leaded Small Signal Switching Diodes

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :1N4150

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • VRRM max (V)

    :50

  • IF max (A)

    :0.3

  • VF (V) max

    :0.74

  • @_IF (A)

    :0.01

  • IFSM max (A)

    :4

  • IR (uA) max

    :0.1

  • @_VR (V)

    :50

  • trr max (ns)

    :4

  • PD (mW)

    :500

  • Package Outlines

    :DO-35

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