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1N4148	文件：57.87 Kbytes Page：8 Pages	High-speeddiodes DESCRIPTION The1N4148,1N4446,1N4448arehigh-speedswitchingdiodesfabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinhermeticallysealedleadedglassSOD27(DO-35)packages. FEATURES •Hermeticallysealedleadedglass SOD27(DO-35)package •Highswitchingspeed:max.4ns •Genera	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
1N4148	文件：57.61 Kbytes Page：2 Pages	Switchingdiode Features 1)Glasssealedenvelope.(MSD,GSD) 2)Highspeed. 3)Highreliability. Application High-speedswitching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
1N4148	文件：156.64 Kbytes Page：3 Pages	SMALL-SIGNALSWITCHINGDIODE	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N4148	文件：11.67 Kbytes Page：1 Pages	SIGNALDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
1N4148	文件：231.18 Kbytes Page：4 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N4148	文件：78.81 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiode SmallSignalDiode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4148	文件：188.58 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4148	文件：57.91 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed •GeneralPurposeRectification •SiliconEpitaxialPlanarConstruction •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
1N4148	文件：32.98 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGDIODE Features ●FastSwitchingSpeed ●GlassPackageVersionforHighReliability ●HighConductance ●AvailableinBothThrough-HoleandSurface MountVersions	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4148	文件：34.13 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N4148	文件：323.12 Kbytes Page：3 Pages	High-speedswitchingdiode	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N4148	文件：150.95 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalDiodes FEATURES ♦SiliconEpitaxialPlanarDiode ♦Fastswitchingdiodes. ♦Thisdiodeisalsoavailableinothercasestylesincluding:theSOD-123casewiththetypedesignation1N4148W,theMiniMELFcasewiththetypedesignationLL4148,andtheSOT23casewiththetypedesignationIMBD4148.	GE GE Industrial Company	GE
1N4148	文件：78.97 Kbytes Page：3 Pages	500mW100VoltSiliconEpitaxialDiode Features •HighReliability •LowCurrentLeakage •MetalurgicallyBondedConstruction •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:Cathodebandandtypenumber •LeadFreeFinish/RohsCompliant(Note1)(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation)	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N4148	文件：476.12 Kbytes Page：1 Pages	SiliconSwitchingDiode	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4148	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFHIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N4148	文件：82.12 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGDIODES	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N4148	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTERDIODESwitching	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N4148	文件：138.9 Kbytes Page：1 Pages	DiodeData	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
1N4148	文件：36.83 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingDiode HighSpeed Features -FastSwitchingSpeed -GeneralPurposeRectification -SiliconEpitaxialPlanarConstruction	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4148	文件：45.9 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic

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更多1N4148TA-Q供应商更新时间2024-4-29 22:51:00

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