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1N4148M	文件：40.83 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE SiliconExpitaxialPlanarDiode fastswitchingdiode.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4148M	文件：125.72 Kbytes Page：2 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE FEATURES Siliconepitaxialplanardiode Switchingdiodes 500mwpowerdissipation Hightemperaturesolderingguaranteed 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength, 5lbs.(2.3kg)tension	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
1N4148P	文件：86.4 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4148-P	文件：117.89 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Automotivegradeddevice •AEC-Q101qualified •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Extremefastswitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4148-P	文件：111.51 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4148-P	文件：87.08 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiode •Automotivegradeddevice •AEC-Q101qualified •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Extremefastswitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N4148PT	文件：66.39 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODEVOLTAGE75VoltsCURRENT0.15Ampere VOLTAGE75VoltsCURRENT0.15Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(DO-35) Highspeed.(TRR=4.0nSecTyp.) Suitableforhighpackingdensity. Maximumtotalpowerdisspationis500mW. Peakforwardcurrentis500mA. APPLICATION Ultrahighspeedswitching	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N4148S	文件：29.86 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE PRV:100Volts Io:150mA FEATURES: SiliconEpitaxialPlanarDiode Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highspeedswitching Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-34GlassCase Weight:approx.0.093g	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1N4148S	文件：31.42 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE PRV:100Volts Io:150mA FEATURES: SiliconEpitaxialPlanarDiode Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Highspeedswitching Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-34GlassCase Weight:approx.0.093g	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4148S	文件：46.33 Kbytes Page：1 Pages	1N4148S ■Features ●FastSwitchingSpeed ●ForGeneralPurposeSwitchingApplications ●HighConductance	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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