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1N4003S	文件：164.71 Kbytes Page：5 Pages	STANDARDRECOVERYRECTIFIERS STANDARDRECOVERYRECTIFIERS TheseAxialLeadedRectifiersareusedforGeneral-PurposeLow-PowerApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
1N4003S	文件：141.75 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryRectifierDiodes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
1N4003S	文件：233.06 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ◆TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◆Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique ◆Lowreverseleakage ◆Highforwardsurgecurrentcapability ◆	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
1N4003S	文件：191.14 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRecrifiers Features ●Highefficiency,LowVF ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●Lowpowerloss ●ψ0.6mmleads	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N4003S	文件：148.09 Kbytes Page：3 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability ●0.6mmleads ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N4003S	文件：53.74 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIER(VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere) VOLTAGE50to1000VoltsCURRENT1.0Amperes FEATURES •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highreliability •Highsurgecurrentcapability •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4003S	文件：150.88 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Lowleakagecurrent Highreliability Highcurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
1N4003S	文件：60.62 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N4003S	文件：206.7 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT1.0AmpereVOLTAGE50to1000Volts Features •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Highreliability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
1N4003S	文件：67.32 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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产品属性

产品编号：
1N4003L-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4003L-T供应商更新时间2025-7-16 14:34:00

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