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1N1187R分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N1187R
厂商型号

1N1187R

参数属性

1N1187R 封装/外壳为DO-203AB,DO-5,接线柱;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

功能描述

Silicon Standard Recovery Diode
DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

封装外壳

DO-203AB,DO-5,接线柱

文件大小

722.79 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 GeneSiC Semiconductor, Inc.
企业简称

GENESIC

中文名称

GeneSiC Semiconductor, Inc.官网

原厂标识
GENESIC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:25:00

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1N1187R规格书详情

1N1187R属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生产的1N1187R二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1N1187R

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准型,反极性

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    35A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    底座,接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AB,DO-5,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-5

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 190°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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