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1N112

GOLD BONDED DIODES

[VMI] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 22.0 A - 25.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

文件:2.79285 Mbytes 页数:78 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N112

70 V, 500 mA, gold bonded germanium diode

BKC

比可测

1N1120

STUD BASE RECTIFIERS

STUD BASE RECTIFIERS (D04 CASE) I0 RATINGS TO 6.0 AMPERES

文件:176.04 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N1124

STUD BASE RECTIFIERS

STUD BASE RECTIFIERS (D04 CASE) I0 RATINGS TO 6.0 AMPERES

文件:176.04 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N1124

Rectifiers

STUD BASE RECTIFIERS (D04 CASE) I0 RATINGS TO 6.0 AMPERES

文件:80.85 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N1124A

STUD BASE RECTIFIERS

STUD BASE RECTIFIERS (D04 CASE) I0 RATINGS TO 6.0 AMPERES

文件:176.04 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

1N1124A

MILITARY SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 250A Surge Rating ● Glass to metal seal construction ● VRRM to 1200V

文件:111.17 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

1N1124A

STANDARD RECOVERY RECTIFIER

3 AMPS 200-600 VOLTS 5μsec STANDARD RECOVERY RECTIFIER

文件:145.2 Kbytes 页数:2 Pages

SSDI

1N1124RA

MILITARY SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 250A Surge Rating ● Glass to metal seal construction ● VRRM to 1200V

文件:111.17 Kbytes 页数:2 Pages

Microsemi

美高森美

1N1125

Rectifiers

STUD BASE RECTIFIERS (D04 CASE) I0 RATINGS TO 6.0 AMPERES

文件:80.85 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

详细参数

  • 型号:

    1N112

  • 功能描述:

    GOLD BONDED DIODES

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NO
24+
NO
5
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TEXASINSTRUMENTS
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全新原装 货期两周
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更多1N112供应商 更新时间2025-10-6 16:30:00