丝印 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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1GT | 型号:BC847CDW;Package:SOT-363;Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Twotransistorsinonepackage Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors | GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司 | GWSEMI | |
1Gt | 型号:BC847CW;Package:SOT-323;NPN Silicon AF Transistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
1Gt | 型号:BC847CW;Package:SOT-323;NPN Silicon AF Transistors | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | |
1GT | 型号:INA280A1QDCKRQ1;Package:SC70;INA280-Q1 AEC-Q100, 2.7-V to 120-V, 1.1-MHz, High Precision Current Sense Amplifier in Small (SC-70) Package | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI |
详细参数
- 型号:
1GT
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT323 |
600000 |
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SMD |
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