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1EDS5663H中文资料GaN EiceDRIVER ™栅极驱动器 IC 具有出色的稳健性和效率,非常适合驱动氮化镓 (GaN) HEMT数据手册Infineon规格书

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厂商型号

1EDS5663H

功能描述

GaN EiceDRIVER ™栅极驱动器 IC 具有出色的稳健性和效率,非常适合驱动氮化镓 (GaN) HEMT

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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1EDS5663H规格书详情

描述 Description

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作,同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
SOP-16
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Infineon/英飞凌
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2021+
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Infineon/英飞凌
2025+
PG-DSO-16
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INFINEON
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