1EDN7550B数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

厂商型号 |
1EDN7550B |
参数属性 | 1EDN7550B 封装/外壳为SOT-23-6;包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6 |
功能描述 | 单通道低边栅极驱动器系列,具有真正差分输入,防止功率 MOSFET 误触发 |
封装外壳 | SOT-23-6 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 13:44:00 |
人工找货 | 1EDN7550B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
1EDN7550B规格书详情
描述 Description
The 1EDN7550/1EDN8550 gate driver ICs have truly differential inputs. Their controlsignal inputs are largely independent from the ground potential. Only the voltage difference between its input contacts is relevant. This prevents false triggering of power MOSFETs.
特性 Features
• Truly differential inputs
• 4A source current
• 8A sink current
• Separate source/sink outputs
• Low-ohmic output stage
• 29ns input minimum pulse width
• 7ns propagation delay accuracy
• 5A reverse current robustness of the outputs
• 4V and 8V UVLO versions
• SOT-23 package, 6 pins
优势:
Product benefits
• Control inputs independent from gate driver GND
• Fast Miller plateau transition
• Fast shut-off
• No diode voltage drop
• Near zero gate voltage at turn-off
• Low power dissipation within gate driver IC
• Up to 15MHz switching speed
• Precise
• No schottky clamping diodes required
• Fast and reliable MOSFET turn-off
Application benefits
• Robust against ground shifts from power MOSFET switching
• Low MOSFET switching losses
• Robust against false MOSFET triggering
• Highest effective MOSFET driving power
• Efficiency gains
• Increased power density and BOM savings
• Instant MOSFET protection under abnormal operation
• High power density
应用 Application
• Server
• Telecom
• DC-DC converters
• Telecom bricks
• Power tools
• Industrial SMPS
• Wireless charging
• Solar micro inverter
简介
1EDN7550B属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的1EDN7550B栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
1EDN7550BXTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 系列:
EiceDriver™
- 包装:
管件
- 驱动配置:
高端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 20V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4A,8A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
6.5ns,4.5ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-23-6
- 供应商器件封装:
PG-SOT23-6
- 描述:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
SOT-23-6 |
5904 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT-23-6 |
3022 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2324+ |
SOT-23-6 |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-23-6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT-23-6 |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2409+ |
n/a |
50 |
原装现货真实库存!量大特价! |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
NA |
13596 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
PG-SOT23-6 |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-SOT23-6 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |