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1EDN71X6G	文件：12.41516 Mbytes Page：38 Pages	200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs 文件：12.41516 Mbytes 页数：38 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
1EDN71X6U	文件：1.59964 Mbytes Page：34 Pages	200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs Features • Optimized for driving GaN SG HEMTs and Si MOSFETs • Fully diferential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side or high-side operation • High common-mode input voltage range (CMR) up to ± 200 V for high side operation • High immunity to common-mode voltage transi 文件：1.59964 Mbytes 页数：34 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

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更多1EDN71X6G供应商更新时间2026-2-3 17:07:00