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1EDN7136UXTSA1	文件：1.59964 Mbytes Page：34 Pages	200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs Features •OptimizedfordrivingGaNSGHEMTsandSiMOSFETs •Fullydiferentiallogicinputcircuitrytoavoidfalsetriggering inlow-sideorhigh-sideoperation •Highcommon-modeinputvoltagerange(CMR)upto±200V forhighsideoperation •Highimmunitytocommon-modevoltagetransi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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1EDN7136UXTSA1

文件：1.59964 Mbytes

Page：34 Pages

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features •OptimizedfordrivingGaNSGHEMTsandSiMOSFETs •Fullydiferentiallogicinputcircuitrytoavoidfalsetriggering inlow-sideorhigh-sideoperation •Highcommon-modeinputvoltagerange(CMR)upto±200V forhighsideoperation •Highimmunitytocommon-modevoltagetransi

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

InfineonInfineon Technologies AG

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产品属性

产品编号：
1EDN7136UXTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
描述：
INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

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