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1EDN7126G数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

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厂商型号

1EDN7126G

参数属性

1EDN7126G 封装/外壳为10-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

功能描述

EiceDRIVER™ 200 V high-side TDI gate driver IC optimized for CoolGaN™ SG HEMTs and Silicon MOSFETs
INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

封装外壳

10-VFDFN 裸露焊盘

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:06:00

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1EDN7126G规格书详情

特性 Features


优势:
• High side driving and low side ground bounce immunity
• Optimized switching speed without external gate resistors
• No induced turn-on
• Additional induced turn-on immunity
• No overcharging the bootstrap capacitor during dead-time

应用 Application

• DCDC
• Telecom
• Server
• AI
• Motor drives
• Robots
• Drones
• Power tools
• Class D Audio

简介

1EDN7126G属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的1EDN7126G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1EDN7126GXTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    EiceDRIVER™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.2V ~ 11V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.5A,1.5A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    4ns,4ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    PG-VSON-10-4

  • 描述:

    INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1

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