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1EDI20I12AF中文资料1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, short circuit clamping, and separate sink/source outputs数据手册Infineon规格书

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厂商型号

1EDI20I12AF

参数属性

1EDI20I12AF 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为隔离器的隔离器-栅极驱动器;产品描述:IC IGBT DVR 1200V 2A 8DSO

功能描述

1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, short circuit clamping, and separate sink/source outputs
IC IGBT DVR 1200V 2A 8DSO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:06:00

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1EDI20I12AF规格书详情

描述 Description

EiceDRIVER™ Compact - High voltage, high speed IGBT driver with CT technology.

特性 Features

• Separate source/sink output (Vsupply: 35V)
• Iout: 2A @ 15V
• 1200V Coreless Transformer IC with galvanic isolation
• 300ns prop del. with 240ns ft
• High CMTI robustness >100kV/µs
• Separate source/sink output
• Small package DSO-8 150mil

优势:

应用 Application

• Motor control and drives
• Solutions for solar energy systems
• Uninterruptible power supply (UPS)
• Industrial welding
• Induction heating
• Induction cooking

简介

1EDI20I12AF属于隔离器的隔离器-栅极驱动器。由制造生产的1EDI20I12AF隔离器 - 栅极驱动器隔离器栅极驱动器是电源信号与外部 MOSFET 或桥接架构电路之间的接口。技术类型分为容性耦合、磁耦合和光耦合,提供 1、2 或 4 通道。电压隔离范围为 1000Vrms 至 7500Vrms,传播延迟范围为 30ns 至 5ms。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1EDI20I12AF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Output Current Source min

    :2 A

  • Output Current Source

    :4 A

  • Output Current Sink min

    :2 A

  • Output Current Sink

    :3.5 A

  • Channels

    :1

  • Configuration

    :High-side

  • Qualification

    :Industrial

  • Isolation Type

    :Galvanic isolation - Functional

  • Switch Type

    :IGBT/SiC MOSFET

  • Package name

    :PG-DSO-8

  • UVLO Input Off

    :2.75 V

  • UVLO Output Off

    :11.1 V

  • Turn On Propagation Delay max

    :330 ns

  • Turn On Propagation Delay

    :300 ns

  • Turn On Propagation Delay min

    :270 ns

  • Turn Off Propagation Delay max

    :330 ns

  • Turn Off Propagation Delay

    :300 ns

  • Turn Off Propagation Delay min

    :270 ns

  • Input Vcc min

    :3.1 V

  • Input Vcc max

    :17 V

  • Output Vbs min

    :13 V

  • Output Vbs max

    :35 V

  • Rise Time max

    :20 ns

  • Rise Time

    :10 ns

  • Rise Time min

    :5 ns

  • Fall Time max

    :19 ns

  • Fall Time

    :9 ns

  • Fall Time min

    :4 ns

  • UVLO Input On

    :2.85 V

  • UVLO Output On

    :12 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
Infineon/英飞凌
19+
68000
原装正品价格优势
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
Infineon
24+
SOIC8
33620
一级代理/放心购买
询价
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
INFINEON
2022+
IGBTSiC MOSFET
1000
只做原装,可提供样品
询价
Infineon(英飞凌)
2021/2022+
PG-DSO-8-51
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
INFINEON/英飞凌
2223+
DSO8
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
Infineon
25+23+
SOIC8
25264
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
INFINEON/英飞凌
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价