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1EDF5673F中文资料GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT数据手册Infineon规格书

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厂商型号

1EDF5673F

功能描述

GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:22:00

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1EDF5673F规格书详情

描述 Description

新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDF5673F非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极(二极管输入特性)和低阈值电压, 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作,同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
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