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Marking：1D9S40Y；Package：SOT669；N-channel 40 V, 1.9 mΩ, 200 A standard level MOSFET in LFPAK56 using NextPower-S3 Schottky-Plus technology 1.Generaldescription 200A,standardlevelgatedriveN-channelenhancementmodeMOSFETin175°CLFPAK56 packageusingadvancedTrenchMOSSuperjunctiontechnology.Thisproducthasbeendesigned andqualifiedforhighperformancepowerswitchingapplications. 2.Featuresandbenefits •200 | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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